Neue Veröffentlichung am Institut für Physik

21 November 2024

Wir freuen uns, die Veröffentlichung unserer neuesten Forschungsarbeit über das MOCVD-Wachstum von PtSe₂ in Advanced Electronic Materials bekannt zu geben.

In dieser Studie untersuchen wir eine skalierbare, qualitativ hochwertige Synthesemethode für Platindiselenid (PtSe₂), die MOCVD nutzt, um eine präzise Kontrolle über die Schichtdicke und -gleichmäßigkeit zu erreichen. Die Arbeit präsentiert wichtige Erkenntnisse über die Wachstumsparameter, die die Kristallstruktur, die Morphologie und die elektrische Leistung beeinflussen und den Weg für die Integration von PtSe₂ in fortschrittliche Gerätearchitekturen ebnen.

Die erfolgreiche MOCVD-Züchtung von PtSe₂ eröffnet nicht nur neue Wege für die Grundlagenforschung, sondern bringt uns auch der Verwirklichung des Potenzials dieses neuartigen 2D-Materials in praktischen, leistungsstarken Technologien näher.

Alle Einzelheiten finden Sie in der Veröffentlichung: https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202400392

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