Es wurden an unserem Institut unter anderem folgende Schaltungen entwickelt:
- kapazitiver Lesesignal-Verdoppler für DRAM- Leseverstärker
- Schaltungen zur Testen von Drams
- CMOS-Spannungsreduzierung
- CMOS-Bandgap-Referenz
- kapazitive Prozessor-Speicher-Schnittstelle
- CMOS-VCOs für Mobilfunkfrequenzen
- distributed CMOS-VCOs
- CMOS-Equalizer